特許
J-GLOBAL ID：200903012944084316
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-252439
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145484
出願日： 1989年11月16日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 多結晶半導体薄膜中の粒界トラップを減少させて電気的特性を向上させた薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁基体としての基板1上に1000Å程度の膜厚のSiO2絶縁膜2を被着形成し、その上に多結晶シリコン膜3を、例えば温度610°CのCVD法(気相成長法)で400Åの厚さに堆積させる。次にシリコンイオン(Si+)をドーズ量1×1014/cm2でイオン注入し、多結晶シリコン膜3を非晶質化させ、600°Cで40時間のアニール(低温アニール)を行なう。なお該アニールは多結晶シリコン膜3の結晶化が飽和しない状態で停止する。次にエキシマレーザを220mJ/cm2で照射し、非晶質シリコンの融点温度と単結晶シリコンの融点温度との間の温度で加熱すると、非晶質部3Aを溶融して単結晶部3Bに変え、粒径の大きい(〜0.02μm)多結晶シリコン膜3が形成される。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に多結晶半導体薄膜を形成する工程と、少なくとも前記多結晶半導体薄膜を構成する結晶の粒界を溶融する一方、前記多結晶半導体薄膜の厚さを変えないアニール処理を前記多結晶半導体薄膜に施す工程と、前記アニール処理が施された多結晶半導体薄膜を能動層に有する薄膜トランジスタを形成する工程とを含む薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
, H01L 21/265
H01L 29/78 627 G
, H01L 21/20
, H01L 21/265 Q
