特許

J-GLOBAL ID：200903012950884316

垂直共振器型面発光レーザとその製法

発明者： スコット・ダブリュ・コルジン ,  マイケル・アール・ティー・タン
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-049976
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326530
出願日： 1997年03月05日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】VCSELを基礎とした光通信システムのビット伝送速度を高め、レーザプリンタのVCSELの光出力を変調できる速度を上げ、そしてVCSELの光出力を高速で変調する必要のあるその他の応用に使えるようにするために、ジッタ(ターンオン遅延時間の変動)を低減したVCSELを提供する。また、高い強度を有する単一光線が必要となる用途に使えるようにするために、空間ホールバーニングの発生を押さえ、高い光強度を出力できるVCSELを提供する。【解決手段】活性層の近傍に堆積される拡散増強領域に高濃度のアクセプタ不純物をドーピングし、これにより量子井戸領域に誘発される正孔数が量子井戸領域の電子数を約1桁上回るようにする。この高濃度にドーピングされた拡散増強領域によって量子井戸領域のキャリアの拡散速度が5〜25倍に高められる。これによって問題の解決が計られる。

請求項（抜粋）：

ターンオン・ジッタを低減しかつ空間ホールバーニングを低減した垂直共振器型面発光レーザ(VCSEL)の製造方法において、以下の(a)ないし(c)のステップを含むことを特徴とする方法、(a)第一の鏡面層を形成するために第一の伝導モードを有するドーピングされた半導体材料の層を堆積させるステップと、(b)活性層を形成するために前記第一の鏡面層の上に半導体材料の層を堆積させるステップであって、前記半導体材料の層を堆積させるステップは以下(b-1)および(b-2)のステップを含む、(b-1)量子井戸領域を形成するステップと、(b-2)拡散増強領域を形成するステップであって、前記拡散増強領域によって前記量子井戸領域に誘発される正孔がそこにある電子を約1桁上回るような高濃度に前記半導体材料をアクセプタ不純物でドーピングして前記拡散増強領域を形成するステップ、(c)第二の鏡面層を形成するために第二伝導モードを有するドーピングされた半導体材料の層を前記活性層上に堆積させるステップ。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-041289   出願人：日本電信電話株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Modulation-Doped Multi-Quantum Well(MD-MQW)Lasers