特許

J-GLOBAL ID：200903012953563030

三元化合物半導体薄膜の製法

発明者： 伊藤 和人 ,  菊地 英治 ,  石田 典也 ,  光根 裕
出願人/特許権者： 同和鉱業株式会社
代理人 (1件)： 丸岡 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-091828
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267704
出願日： 1992年03月17日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 基板とセレンまたは硫黄との反応を生ぜしめずに、膜の結晶性を向上させた、高品質のI-III-VI族系化合物半導体薄膜の製造方法の提供。【構成】 Ti基板上に電着法でCuとInをモル比Cu/Inが1で、膜厚が約1μmとなるように積層し、反応器内に入れて、N2 +H2 混合ガスを導入しながら5°C/分の速度で300°Cまで昇温した後、この温度に30分保持し、Seガスを新たに導入してさらに2時間保持する。Seガスの導入を停止してさらに1時間同じ温度に保持した後、5°C/分の速度で500°Cまで昇温し、この温度に1時間保持した後冷却してCuInSe2 の単一相膜を得る。

請求項（抜粋）：

MI・MII・M III2 (ただし、MIはCuおよびAgからなる群より選ばれる1種類以上の金属、MIIはInおよびGaからなる群より選ばれる1種類以上の金属、MIII はSeおよびSからなる群より選ばれる1種類以上の金属)で示されるI-III -VI族系の化合物からなる半導体薄膜の製造法において、MIおよびMII元素を個別にまたは同時に堆積せしめた後、第一段階アニール工程にてガス状のMIII 元素または化合物を供給して低結晶質化合物を形成させ、次いで第二段階アニール工程で結晶化を促進させてカルコパイライト型結晶構造を有する薄膜と成すことを特徴とする三元化合物半導体薄膜の製法。

IPC (4件)：

H01L 31/04 ,  C01B 19/00 ,  C01G 15/00 ,  H01L 21/203

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-094669
  
• 光起電装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-164763   出願人：富士電機株式会社