特許
J-GLOBAL ID：200903012970191422
電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-317007
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163604
出願日： 1992年11月26日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】櫛形電界効果トランジスタのソース、ドレイン上に層間絶縁膜を隔ててドレインボンディングパッドを形成してチップサイズを縮小する。【構成】半絶縁性基板1上の活性層2に拡散層(図示せず)を形成したのち、ゲート電極7およびソース電極8を形成する。つぎに層間絶縁膜3を形成したのち、浅くドライエッチングして表面を平坦化する。つぎに層間絶縁膜3をエッチングして単位トランジスタのドレイン電極9上にコンタクトホール10を形成する。つぎにドレインボンディングパッド4を形成したのち層間絶縁膜3をエッチングしてゲートボンディングパッド6およびソースボンディングパッド5の主要部に開口を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面に複数の櫛形のドレイン、ソースおよび両者に挟まれたゲート電極が形成され、前記ドレイン、ソースに接続する櫛形のドレイン電極、ソース電極のうち1つと前記ゲート電極とが、全面を覆う層間絶縁膜に形成されたスルーホールを貫通して前記ドレイン電極、前記ソース電極および前記ゲート電極直上の前記層間絶縁膜上に形成されたボンディングパッドに接続されている電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
