特許

J-GLOBAL ID：200903012970420570

記憶装置

発明者： ダピン・チュー
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 渡邊 隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-165360
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100744
出願日： 2001年05月31日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 データ格納用に、強誘電体材料の内部分極を利用し、非破壊のデータ読出動作が可能な記憶装置を提供することである。【解決手段】 nチャネルトランジスタとpチャネルトランジスタとを備えた記憶装置であって、双方のトランジスタがソースとドレインとゲートとを有し、トランジスタのソース及びドレインは直列に接続され、トランジスタのゲートは互いに接続され、各トランジスタがソース及びドレイからゲートを分離する強誘電体材料を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

nチャネルトランジスタとpチャネルトランジスタとを備えた記憶装置であって、双方のトランジスタがソースとドレインとゲートとを有し、トランジスタのソース及びドレインは直列に接続され、トランジスタのゲートは互いに接続され、各トランジスタがソース及びドレインからゲートを分離する強誘電体材料を有する記憶装置。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/22 503

FI (2件)：

G11C 11/22 503 ,  H01L 27/10 444 A

Fターム (2件)：

5F083FR05 ,  5F083GA05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-256361
  
• 信号保持回路、半導体装置、ゲートアレイおよびICカード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-315278   出願人：ローム株式会社