特許

J-GLOBAL ID：200903012973903393

露光方法及び露光装置

発明者： 入江 重夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-192455
公開番号（公開出願番号）：特開2002-015970
出願日： 2000年06月27日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】 EUV光を用いてマスクに形成されているマスクパターンをレジスト膜に転写する工程を繰り返し行なっても、レジスト膜に照射される露光量が低下しないようにする。【解決手段】 真空チャンバー100の内部において、所望のパターンを有する反射型マスク106の表面に形成されている堆積膜を真空チャンバー100の内部に発生させた酸素プラズマ115により除去する。真空チャンバー100の内部において、EUV光源から出射されたEUV光を、堆積膜が除去された反射型マスク106を介してレジスト膜102に照射して、反射型マスク106のパターンをレジスト膜102に転写する。

請求項（抜粋）：

極端紫外光を、所望のパターンが形成されているフォトマスクを介してレジスト膜に照射して、前記所望のパターンを前記レジスト膜に転写する露光方法において、前記極端紫外光を前記フォトマスクを介して前記レジスト膜に照射する前に、前記フォトマスクの表面に付着している堆積膜を除去するクリーニング工程を備えていることを特徴とする露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521

FI (4件)：

G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 503 G ,  H01L 21/30 531 A

Fターム (14件)：

2H097BA02 ,  2H097BA04 ,  2H097CA13 ,  2H097LA10 ,  5F046AA17 ,  5F046AA22 ,  5F046CD02 ,  5F046CD03 ,  5F046GA07 ,  5F046GA12 ,  5F046GA20 ,  5F046GB01 ,  5F046GC05 ,  5F046GD10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• X線露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-295457   出願人：株式会社ニコン
• 特開平2-042713
  
• 露光装置、該露光装置に用いるマスク構造体、露光方法、前記露光装置を用いて作製された半導体デバイス、および半導体デバイス製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-093523   出願人：キヤノン株式会社
• 縮小投影型X線リソグラフイ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-239244   出願人：株式会社日立製作所