特許

J-GLOBAL ID：200903012973975904

半導体ウェーハの製造方法及び製造装置

発明者： 谷口 徹 ,  小野 五十六 ,  栗原 芳克 ,  谷本 竜一
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-197037
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016025
出願日： 2000年06月29日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェーハの製造方法及び製造装置において、LTO等の保護膜を形成する工程を追加する必要が無く、片面研磨でも低コストで両面研磨と同様の高平坦度を得ること。【解決手段】 半導体ウェーハWを表裏面側から挟む研磨面を有した一対の定盤と半導体ウェーハとを相対的に移動させると共に研磨面に研磨液を供給して半導体ウェーハを研磨する研磨工程を有した半導体ウェーハの製造方法であって、前記研磨工程前の自然放置中又は洗浄中に生じた前記半導体ウェーハの表裏面の薄膜OXのうち表面側の薄膜のみを除去する表面膜除去工程と、前記表面膜除去工程後に、前記半導体ウェーハの材料に対する研磨速度が前記薄膜に対する研磨速度よりも高い前記研磨液を供給して半導体ウェーハの表面側を選択的に化学的研磨する表面研磨工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハを表裏面側から挟む研磨面を有した一対の定盤と半導体ウェーハとを相対的に移動させると共に研磨面に研磨液を供給して半導体ウェーハを研磨する研磨工程を有した半導体ウェーハの製造方法であって、前記研磨工程前の自然放置中又は洗浄中に生じた前記半導体ウェーハの表裏面の薄膜のうち表面側の薄膜のみを除去する表面膜除去工程と、前記表面膜除去工程後に、前記半導体ウェーハの材料に対する研磨速度が前記薄膜に対する研磨速度よりも高い前記研磨液を供給して半導体ウェーハの表面側を選択的に化学的研磨する表面研磨工程とを備えていることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/306 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 13/02 ,  C09K 13/08

FI (11件)：

H01L 21/304 621 Z ,  H01L 21/304 622 E ,  H01L 21/304 622 B ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 F ,  H01L 21/304 622 R ,  B24B 37/04 F ,  C09K 3/14 550 C ,  C09K 13/02 ,  C09K 13/08 ,  H01L 21/306 M

Fターム (13件)：

3C058AA09 ,  3C058AC04 ,  3C058BA02 ,  3C058CB01 ,  3C058CB05 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F043AA02 ,  5F043BB01 ,  5F043BB22 ,  5F043DD16 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ウェーハ研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-113773   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
• 特開昭64-018228