半導体装置の製造方法及び埋め込み配線の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-074052
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269169
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】研磨時にスクラッチ等によるエロージョンの進行を抑え、被加工膜の効率のよい平坦化を可能にする。【解決手段】高分子粒子及び高分子粒子上に吸着された無機粒子を含む凝集体を含有するスラリーを用いた半導体の製造方法。

請求項（抜粋）：

高分子粒子及び該高分子粒子上に吸着された無機粒子を含む凝集体を含有する化学的機械的研磨用スラリーを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 , B24B 37/00 , H01L 21/3205 , C08J 5/14 , C08L101/08

FI (5件)：

H01L 21/304 622 D , B24B 37/00 H , C08J 5/14 , C08L101/08 , H01L 21/88 K

Fターム (57件)：

3C058AA07 , 3C058CB02 , 3C058CB03 , 3C058CB10 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 4F071AA22 , 4F071AA31 , 4F071AA40 , 4F071AA41 , 4F071AA50 , 4F071AB03 , 4F071AB17 , 4F071AB18 , 4F071AB22 , 4F071AB23 , 4F071AB25 , 4F071AB26 , 4F071AC06 , 4F071AC09 , 4F071AC10 , 4F071AC12 , 4F071AC13 , 4F071AC14 , 4F071AC15 , 4F071AH19 , 4F071DA17 , 4F071DA18 , 4J002BC021 , 4J002BG051 , 4J002CB001 , 4J002CC031 , 4J002CC181 , 4J002CC211 , 4J002CG001 , 4J002DA018 , 4J002DE037 , 4J002DE098 , 4J002DE118 , 4J002DE148 , 4J002DF027 , 4J002DG037 , 4J002DH027 , 4J002DJ018 , 4J002EV186 , 4J002FD207 , 4J002FD208 , 4J002FD316 , 4J002GQ05 , 4J002GT00 , 5F033HH08 , 5F033HH17 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033QQ48 , 5F033QQ50 , 5F033XX01

引用特許：

審査官引用 (1件)

研磨装置およびこれを用いた研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-017207 出願人：ソニー株式会社

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