特許

J-GLOBAL ID：200903013021498777

半導体装置の作製方法

発明者： 中村 理 ,  山本 裕子 ,  佐藤 淳子
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-249781
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100810
出願日： 2005年08月30日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：

【課題】本発明は、微細な形状を有する半導体領域の形成方法を提供する。バラツキの少ない半導体装置の作製方法を提供する。また、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】 本発明は、半導体膜の一部にレーザ光を照射し、絶縁層を形成した後、該絶縁層をマスクとして半導体膜をエッチングして、所望の形状を有する半導体領域を形成した後、該半導体領域を用いる半導体装置を作製する。本発明では、公知のレジストを用いたフォトリソグラフィー工程を用いずとも、所定の場所に微細な形状を有する半導体領域を形成することが可能である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部にレーザ光を照射して前記半導体膜上に酸化物層を形成し、前記酸化物層をマスクとして前記半導体膜をエッチングして、半導体領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268

FI (3件)：

H01L29/78 627C ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 F

Fターム (138件)：

5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA11 ,  5F004DA13 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DB02 ,  5F043AA11 ,  5F043BB04 ,  5F058BF52 ,  5F058BF77 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE28 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG14 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HM15 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ21 ,  5F152AA06 ,  5F152AA14 ,  5F152BB01 ,  5F152BB02 ,  5F152BB03 ,  5F152BB06 ,  5F152BB08 ,  5F152BB10 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC04 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC08 ,  5F152CD12 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD17 ,  5F152CD18 ,  5F152CE05 ,  5F152CE06 ,  5F152CE12 ,  5F152CE13 ,  5F152CE14 ,  5F152CE23 ,  5F152CE24 ,  5F152CE28 ,  5F152CE32 ,  5F152CE42 ,  5F152CE43 ,  5F152CE44 ,  5F152CE45 ,  5F152CF13 ,  5F152CF18 ,  5F152CF23 ,  5F152DD07 ,  5F152EE01 ,  5F152EE04 ,  5F152EE14 ,  5F152FF02 ,  5F152FF03 ,  5F152FF04 ,  5F152FF05 ,  5F152FF06 ,  5F152FF07 ,  5F152FF09 ,  5F152FF21 ,  5F152FF28 ,  5F152FF43 ,  5F152FF44 ,  5F152FF45 ,  5F152FF47 ,  5F152FG01 ,  5F152FG19 ,  5F152FH03 ,  5F152FH18 ,  5F152FH19

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 成膜装置及び成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-364943   出願人：東京エレクトロン株式会社