窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-207251
公開番号（公開出願番号）：特開平10-051028
出願日： 1996年08月06日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】発光波長のシフトを抑制し、発光の安定化を図ることができる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供することを課題とする。【解決手段】基板上にInX AlY Ga1-X-Y N(0≦X≦1,0≦Y≦1,0≦X+Y≦1)で構成される複数の半導体層を順次積層してなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、第1の導電型を有する第1のクラッド層7と、第1のクラッド層7の上部に形成され、発光波長の異なる少なくとも2つの領域を有する活性層9と、活性層9の上部に形成され、第2の導電型を有する第2のクラッド層11とを少なくとも具備するように構成される。

請求項（抜粋）：

基板上にInX AlY Ga1-X-Y N(0≦X≦1,0≦Y≦1,0≦X+Y≦1)で構成される複数の半導体層を順次積層してなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、第1の導電型を有する第1のクラッド層と、該第1のクラッド層の上部に形成され、発光波長の異なる少なくとも2つの領域を有する活性層と、該活性層の上部に形成され、第2の導電型を有する第2のクラッド層とを少なくとも具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (13件)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-129313 出願人：日亜化学工業株式会社
特開昭59-094888
特公昭49-045040

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