特許
J-GLOBAL ID:200903080761858440
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-129313
公開番号(公開出願番号):特開平6-338632
出願日: 1993年05月31日
公開日(公表日): 1994年12月06日
要約:
【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子のサイズを小さくすると共に、小さいサイズの発光素子から出る発光をできるだけ遮ることなく外部に取り出し発光効率を向上させる。【構成】 同一面側にn型層の電極と、p型層の電極とが形成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記n型層の電極はそのn型層の隅部でワイヤーボンディングされており、さらに、前記p型層の電極はそのp型層の隅部でワイヤーボンディングされている。
請求項(抜粋):
同一面側にn型層の電極と、p型層の電極とが形成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記n型層の電極はそのn型層の隅部でワイヤーボンディングされており、さらに、前記p型層の電極はそのp型層の隅部でワイヤーボンディングされていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
引用特許:
審査官引用 (6件)
-
特開平3-218625
-
特開昭62-028765
-
特開昭62-002675
-
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-313977
出願人:豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
-
特開平2-101089
-
特開昭63-311777
全件表示
前のページに戻る