ユーディストミン合成中間体およびその合成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮本晴視
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-169982
公開番号（公開出願番号）：特開2002-363180
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年12月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 7員環オキサチアゼピン骨格の形成工程の収率および立体選択性を改善したユーディストミン中間体、該中間体の合成方法、および新規なユーディストミン類縁体の提供【解決手段】一般式(I)で表される構造において、1位および10位の絶対立体配置が(1S、10R)、(1R、10S)、(1S、10S)または(1R、10R)であるユーディストミン合成中間体。(R1〜R4はH、低級アルキル基等、R5はH、R6はH、シリル基等、R7はH、低級アルキル基等を表わす。)化合物の具体例を示すと式(II)が挙げられる。(式中、Bocはターシャリーブトキシカルボニルなどの置換基である。)

請求項（抜粋）：

一般式Aで表される構造において、1位および10位の絶対立体配置が(1S、10R)、(1R、10S)、(1S、10S)または(1R、10R)であるユーディストミン合成中間体。【化1】(ここで、R1、R2、およびR3は、H、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン、低級パーフルオロアルキル基、低級アルキルチオ基、ヒドロキシ基、アミノ基、モノ-又はジ-アルキルまたはアシルアミノ基、低級アルキルまたはアリ-ルスルホニルオキシ基から独立に選択される基である。R4はアルコキシカルボニル基、アシル基、低級アルキルまたはアリ-ルスルホニル基を示す。R6はH、シリル基、アシル基、または、他の低級アルコールとアセタール構造を形成してもよい。また、R5はH、またはR6と分子内アセタール構造を形成してもよい。Meはメチル基、R7はH、アルキル基、アルコキシカルボニル基、低級アルキルまたはアリ-ルスルホニル基を示す。

IPC (6件)：

C07D487/04 140 , A61P 31/12 , C07B 53/00 , C07D515/14 , A61K 31/554 , C07M 7:00

FI (6件)：

C07D487/04 140 , A61P 31/12 , C07B 53/00 G , C07D515/14 , A61K 31/554 , C07M 7:00

Fターム (18件)：

4C050AA01 , 4C050BB04 , 4C050CC07 , 4C050EE02 , 4C050FF01 , 4C050GG02 , 4C050GG03 , 4C050HH04 , 4C086AA03 , 4C086CB05 , 4C086CB31 , 4C086HA24 , 4C086MA01 , 4C086NA14 , 4C086ZB33 , 4H006AA02 , 4H006AB84 , 4H006AC81

引用特許：

審査官引用 (1件)

特開平3-068582

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