特許
J-GLOBAL ID:200903013034681414

酸化タンタル製薄膜キャパシタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三俣 弘文
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-043609
公開番号(公開出願番号):特開平10-256081
出願日: 1998年02月25日
公開日(公表日): 1998年09月25日
要約:
【要約】【課題】 酸化タンタル製薄膜キャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の薄膜キャパシタは、TaNx製の下部電極23と、窒素またはシリコンをドーピングした酸化タンタル製(陽極酸化したTaNxO5またはTa2SiO)の誘電体層26と、クロムを含有する上部電極27とを有する。その結果、本発明のキャパシタのリーク電流は、10Vで1nA/cm2 以下で、破壊電界は4MV/cm以上で、キャパシタンス密度は70nF/cm2 である。本発明のキャパシタは350°Cでも安定した性能を示し、その面積も幅1mm2 以上とすることができる。
請求項(抜粋):
(A)基板(21,22)に支持されたTaNx を含む第1電極(23)と、(B)前記第1電極(25)上に形成されるNを少なくとも20%含有するTa2O5Nx を有する誘電体層(26)と、(C)前記誘電体層上(26)に形成されるクロムを含有する第2電極(27)とからなることを特徴とする酸化タンタル製薄膜キャパシタ。
IPC (3件):
H01G 4/33 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (2件):
H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C
引用特許:
審査官引用 (13件)
  • 特公昭57-038177
  • 特開昭52-053257
  • タンタルコンデンサ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-232898   出願人:京セラ株式会社
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