特許
J-GLOBAL ID：200903013053562531
成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-159532
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008195
出願日： 1994年06月17日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：
【要約】【目的】 ポリシリコン膜の微細素子間の抵抗値の均一性を高めること。【構成】 ウエハボートに多数のウエハを搭載して反応管内にロードし、反応管2内にモノシランガスとフォスフィンガスとN2 Oガスとを導入して例えばリンをドープしたアモルファスシリコン膜を形成し、しかる後例えば別の反応管2内にて当該ウエハWをアニールし、アモルファスシリコン膜をポリ化する。成膜時にN2 Oの分解により生成したOが膜中に取り込まれ、これがシリコン結晶の核となって結晶が微小化しかつそのサイズが揃うことによりポリシリコン膜の微細素子間抵抗値の均一性が向上すると考えられる。また酸素を添加することによりポリシリコン膜の抵抗値を容易に制御できる。
請求項（抜粋）：
気密な反応容器内に被処理体を配置し、加熱雰囲気にされた反応容器内にシラン系のガスを導入して化学的気相反応により被処理体にシリコン膜を形成する成膜方法において、シリコン結晶の成長を妨げる成分を含むガスを反応容器内に供給することを特徴とする成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/24
, H01L 21/324
