特許
J-GLOBAL ID：200903013106789851

フェライト焼結体とこれを用いたフェライトコアおよびフェライトコイル

発明者：
森山 正幸

森山 正幸 について

, 
竹之下 英博

竹之下 英博 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-333867
公開番号（公開出願番号）：特開2005-097048
出願日： 2003年09月25日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】高透磁率、高電気抵抗、低いコア損失、高誘電起電力の優れたフェライト焼結体を提供する。 【解決手段】Fe、Zn、Ni、CuをそれぞれFe2O3換算で42〜54モル%、ZnO換算で12〜37モル%、NiO換算で7〜35モル%、CuO換算で0.5〜10モル%含有する主成分100質量部に対し、ZrをZrO2換算で0.001〜0.6質量部含有するとともに、上記Zrを焼結体中に均一に分散し、焼結体中の粒界相の厚みを20nm以下としたフェライト焼結体である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Fe、Zn、Ni、CuをそれぞれFe2O3換算で42〜54モル%、ZnO換算で12〜37モル%、NiO換算で7〜35モル%、CuO換算で0.5〜10モル%含有する主成分100質量部に対し、ZrをZrO2換算で0.001〜0.6質量部含有した焼結体であって、上記Zrが焼結体中に均一に分散し、焼結体中の粒界相の厚みが20nm以下であることを特徴とするフェライト焼結体。
IPC (2件)：
C04B35/26 ,  H01F1/34
FI (2件)：
C04B35/26 L ,  H01F1/34 A
Fターム (11件)：
4G018AA16 ,  4G018AA23 ,  4G018AA24 ,  4G018AA25 ,  4G018AB08 ,  4G018AB09 ,  5E041AB01 ,  5E041BD01 ,  5E041CA10 ,  5E041NN02 ,  5E041NN06
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)

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