低エネルギープラズマ強化化学蒸着法による高移動度のシリコンゲルマニウム構造体の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：河宮治 , 石井久夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-546385
公開番号（公開出願番号）：特表2005-510081
出願日： 2002年09月05日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

半導体構造体の製造方法であって、この製造方法は、以下の工程を含んでいる。傾斜Si1-xGex層と非傾斜Si1-xGex層とから成る仮想基板を、高密度の低エネルギープラズマ強化化学蒸着法(LEPECVD)を用いて形成する工程で、この工程では、成長速度が2nm/s以上、基板温度が400°C〜850°C、及びガス導入口での全反応ガス流量が5sccm〜200sccmにされる。上記仮想基板上に、Geチャンネル(55、65)と変調ドープ層(56、64、67)とを含む活性領域(14、58、68)を、低密度の低エネルギープラズマ強化化学蒸着法(LEPECVD)を用いて形成する工程で、この工程では、成長チャンバに水素(H2)を導入し、基板温度を400°C〜500°Cに保持し、そして、変調ドープ層を形成するためにドーパントガスを成長チャンバにパルス状に導入する。

請求項（抜粋）：

半導体ヘテロ構造体を、ガス導入口(26、30)を備えた成長チャンバ(23)中で製造する方法であって、上記製造方法が、以下の条件による高密度の低エネルギープラズマ強化化学蒸着法(LEPECVD)を用いて、シリコン基板(11、51、61)上に、傾斜Si1-xGex層(12、52、62)とそれに続いてGe濃度一定のSi1-xGex層(13、53、63)とを含む仮想基板を形成する工程であって、高密度のLEPECVDの条件が、 i.成長速度が2nm/s以上、 ii.基板温度が400°C〜850°C、及び iii.ガス導入口での全反応ガス流量が5sccm〜200sccm、の工程と、以下の条件による低密度の低エネルギープラズマ強化化学蒸着法(LEPECVD)を用いて、上記仮想基板上に、Geチャンネル(55、65)と変調ドープ層(56、64、67)とを含む活性領域(14、58、68)を形成する工程であって、低密度のLEPECVDの条件が、 i.成長チャンバ(23)に水素(H2)を導入して、界面活性剤として機能させること、 ii.基板温度を400°C〜500°Cに保持すること、及び iii.成長チャンバ(23)にドーパントガスをパルス状に導入し、上記変調ドープ層(56、64、67)を形成すること、である工程と、を含んでいる半導体ヘテロ構造体の製造方法。

IPC (5件)：

H01L21/205 , C23C16/50 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (3件)：

H01L21/205 , C23C16/50 , H01L29/80 H

Fターム (49件)：

4K030AA05 , 4K030AA06 , 4K030AA07 , 4K030AA17 , 4K030BA09 , 4K030BA29 , 4K030BA35 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA06 , 4K030FA01 , 4K030JA05 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030JA12 , 4K030JA17 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F045AA08 , 5F045AB01 , 5F045AC01 , 5F045AC16 , 5F045AC19 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AF03 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045DA58 , 5F045DA69 , 5F045EE12 , 5F045EE15 , 5F045EE19 , 5F045EH16 , 5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GK02 , 5F102GK09 , 5F102GL02 , 5F102GR01 , 5F102HC01 , 5F102HC11

引用文献：

審査官引用 (1件)

A plasma process for ultrafast deposition of SiGe graded buffer layers

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