特許
J-GLOBAL ID：200903013141877259
サファイア基板
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-203056
公開番号（公開出願番号）：特開平10-025197
出願日： 1996年07月12日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：
【要約】【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させた後に基板を劈開することによりこの窒化物系III-V族化合物半導体層を劈開して凹凸のない鏡面の端面を形成することができるサファイア基板を提供する。【解決手段】 (1-102)面(r面)および(11-20)面(a面)に垂直な主面を有するサファイア基板1上に窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させてレーザ構造を形成する。このとき、サファイア基板1の劈開容易面であるr面と窒化物系III-V族化合物半導体層の劈開容易面であるa面とは互いに平行になる。サファイア基板1をr面に沿って劈開することによりその上の窒化物系III-V族化合物半導体層をa面に沿って劈開して共振器の端面を形成する。
請求項（抜粋）：
(1-102)面および(11-20)面にほぼ垂直な主面を有することを特徴とするサファイア基板。
IPC (7件)：
C30B 29/20
, C30B 29/40 502
, H01L 21/301
, H01L 27/12
, H01S 3/18
, H01L 21/203
, H01L 21/205
C30B 29/20
, C30B 29/40 502 K
, H01L 27/12 S
, H01S 3/18
, H01L 21/203 M
, H01L 21/205
, H01L 21/78 U
