特許
J-GLOBAL ID：200903026087130651
半導体レーザダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-079217
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270565
出願日： 1996年04月01日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：
【要約】【課題】 サファイアの劈開面の精度を向上させることにより、共振器を構成する多重層の対向端面の平行度及び面精度を良好な状態に改善し、レ-ザの発振効率を向上させ、半導体レ-ザダイオ-ドを歩留り良く得ること。【解決手段】 R面と直交するR軸を回転軸として得られる面を主面としたサファイア板1の主面11上に、レーザ素子を成す半導体の多重層3を設けるとともに、該半導体の多重層3の共振面3aを形成する面が、サファイア板1のR面に沿った劈開面に連なることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
R面と直交するR軸を回転軸として得られる面を主面としたサファイア板の主面上に、レーザ素子を成す半導体の多重層を設けるとともに、該半導体の多重層の共振面を形成する面が、前記サファイア板のR面に沿った劈開面に連なることを特徴とする半導体レ-ザダイオ-ド。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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