ドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-057402
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246249
出願日： 1996年03月14日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】被エッチング体上に形成されたレジスト膜の開口を通してフッ素含有ガスを用いた等方性エッチングを行い、引き続き異方性エッチングを行って被エッチング体に開口を形成するドライエッチング方法に関し、エッチングによるレジストマスクの開口の拡大を抑制する。【解決手段】被エッチング膜13上のレジスト膜14をパターニングし、開口15を形成する工程と、レジスト膜14の開口15の側壁にポリマ膜16aを形成する工程と、フッ素含有ガスを用い、レジスト膜14の開口15を通して被エッチング膜を全膜厚の途中まで等方性エッチングする工程と、異方性エッチングによりレジスト膜の開口を通して被エッチング膜に開口を形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

被エッチング膜上のレジスト膜をパターニングし、開口を形成する工程と、前記レジスト膜の開口の側壁にポリマ膜を形成する工程と、フッ素含有ガスを用い、前記レジスト膜の開口を通して前記被エッチング膜を全膜厚の途中まで等方性エッチングする工程と、異方性エッチングにより前記レジスト膜の開口を通して前記被エッチング膜に開口を形成する工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (3件)：

H01L 21/302 J , C23F 4/00 A , C23F 4/00 E

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-345028
特開平4-061333
特開平3-148121

全件表示

前のページに戻る