薄膜トランジスタの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-226180
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086602
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】チャネル領域内へのグレインバウンダリの進入を防止し、トランジスタ特性の劣化を防止するための薄膜トランジスタ製造方法を提供することを目的とする。【構成】絶縁表面上に、薄膜トランジスタのボディとなるアモルファス半導体膜を堆積する工程と、前記アモルファス半導体膜のチャネル領域となる部分のみを、該アモルファス半導体膜が融解しない温度に選択的に加熱し、結晶成長の核を形成する核形成工程と、前記アモルファス半導体膜をアニールするアニール工程とを含む。また、絶縁膜上に、薄膜トランジスタのボディとなるアモルファスシリコン膜を堆積する工程と、前記アモルファスシリコン膜のチャネル領域のみに選択的にゲルマニウムをドープする工程と、前記アモルファスシリコン膜をアニールするアニール工程とを含む。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に、薄膜トランジスタのボディとなるアモルファス半導体膜を堆積する工程と、前記アモルファス半導体膜のチャネル領域となる部分のみを、該アモルファス半導体膜が融解しない温度に選択的に加熱し、結晶成長の核を形成する核形成工程と、前記アモルファス半導体膜をアニールするアニール工程とを含む薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/26 , H01L 21/263 , H01L 21/268

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 21/26 L

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体結晶の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-285702 出願人：ソニー株式会社
特開平2-260526
特開平4-119633

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