特許

J-GLOBAL ID：200903098277667075

半導体結晶の成長方法

発明者： 野口 隆
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-285702
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102035
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、エキシマレーザ光照射によって非晶質半導体層の所定の領域に結晶成長させる核を発生させることで、低温固相アニール処理を開始してから結晶成長を始めるまでの時間を短縮してスループットの向上を図る。【構成】 第1の工程で、基板11上の非晶質半導体層13の上面に遮光性マスク17を形成する。次いで第2の工程で、遮光性マスク17を用いて、当該非晶質半導体層13にエキシマレーザ光31を照射し、照射領域に結晶成長させる核18を発生させる。続いて第3の工程で、低温固相アニール処理を施すことで、当該非晶質半導体層13に発生させた核18より結晶を成長させて単結晶領域19,20を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上の非晶質半導体層の上面に遮光性マスクを形成する第1の工程と、前記遮光性マスクを用いて前記非晶質半導体層にエキシマレーザ光を照射することで、当該非晶質半導体層に結晶成長させるための核を発生させる第2の工程と、前記非晶質半導体層に低温固相アニール処理を施すことにより、前記発生させた核より結晶を成長させて、当該非晶質半導体層に単結晶領域を形成する第3の工程とによりなることを特徴とする半導体結晶の成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-161823
  
• 特開平2-260526
  
• 特開平2-140916