特許
J-GLOBAL ID：200903013250216149
半導体ウエ-ハの研磨方法及び該研磨方法に用いる研磨布
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 昌久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-027058
公開番号（公開出願番号）：特開平11-291157
出願日： 1999年02月04日
公開日（公表日）： 1999年10月26日
要約：
【要約】【解決手段】 半導体ウエーハと研磨布との間に研磨剤を介在させ、平坦化を目的とした研磨工程により鏡面研磨される半導体ウエーハの研磨方法において、前記工程に用いる研磨布が、圧縮率が9%未満かつ発泡密度が略150個/cm2以上の低圧縮率かつ高発泡密度のウレタン樹脂を発泡させたスエード状の研磨布であることを特徴とする。【効果】 シリコンウエーハ鏡面の表面粗さが良好なシリコンウエーハを得るために必要な研磨布、特に仕上げ研磨布の物性項目及び値を見出し、該物性項目及び値に基づいて選択された仕上げ研磨布を用いて研磨を行なうことにより、ヘイズが50bit以下の良好な表面粗さを有する鏡面シリコンウエーハを製造することが可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体ウエーハと研磨布との間に研磨剤を介在させ、平坦化と表面粗さの改善を目的とした研磨工程により鏡面研磨される半導体ウエーハの研磨方法において、前記研磨工程に用いる研磨布が、圧縮率が9%未満かつ発泡密度が略150個/cm2以上の低圧縮率かつ高発泡密度の研磨布であることを特徴とする半導体ウエーハの研磨方法。
引用特許：
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