特許

J-GLOBAL ID：200903013340204484

半導体装置及びその製造方法

発明者： 若林 猛 ,  三原 一郎
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-073080
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260768
出願日： 1998年03月09日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】 ウエハの突起電極またはボール電極が形成された面に樹脂封止膜を形成しても、ダイシング精度を良くすることである。【解決手段】 ウエハ1の上面において外周部及びアライメントマーク4a、4b形成部を除く部分には樹脂封止膜5が設けられている。すなわち、樹脂封止膜5のアライメントマーク4a、4bに対応する部分には円形の開口部6が設けられている。そして、開口部6を介して露出されたアライメントマーク4a、4bをカメラで画像認識し、この画像認識結果に基づいてウエハ1を設計上の仮想線であるダイシングストリート7に沿ってダイシングして個々のチップに分割する。

請求項（抜粋）：

一の面に接続電極及びアライメントマークが設けられたウエハと、このウエハの一の面において少なくとも前記アライメントマークを除く部分に設けられた樹脂封止膜とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/60

FI (3件)：

H01L 21/78 C ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/92 602 L

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-163582   出願人：三菱電機株式会社