特許
J-GLOBAL ID：200903013393904879
低温プラズマエンハンスによる集積回路形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-500037
公開番号（公開出願番号）：特表平10-501100
出願日： 1995年04月03日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：
【要約】プラズマエンハンスド化学気相成長を用いて、同一反応器内にて低温で、半導体基板(28)上に種々の層(29)を堆積させることができる。窒化チタン膜が必要な場合、まず、基板表面から25mm内にプラズマが発生され表面に亘って均一なプラズマが供給されるプラズマエンハンスド化学気相成長を用いて、チタン膜を成膜することができる。基板(28)の表面から25mm内に発生されたアンモニアのプラズマを用いて、堆積させた膜にアンモニアアニールを行い、次いで、基板表面から25mm内に四塩化チタンとアンモニアのプラズマを発生させることにより、窒化チタンのプラズマエンハンスド化学気相成長を行うことができる。これにより、800°C未満という比較的低い温度で、成膜及びアニールを行うことができる。このようにしてシリコン表面にチタンを堆積させると、接合部に珪化チタンが生成され、これを、本発明のプラズマエンハンスド化学気相成長を用いて、窒化し、チタン又は窒化チタンでコートする。したがって、本発明により、同一反応器(20)内において、基板表面にチタン、窒化チタン、珪化チタンの多重層を形成することができる。
請求項（抜粋）：
基板上への窒化チタン膜の成膜方法であって、 反応室において、四ハロゲン化チタンと水素からなる混合ガスのプラズマを基板表面から約25mm内に発生させることにより、上記基板表面にチタン層を形成する工程と、 上記反応室において、上記チタン層から25mm内に、アンモニアと窒素から選択されるガスからプラズマを発生させることにより、上記チタン層を窒化して、窒化チタン層を形成する工程と、 を有することを特徴とする成膜方法。
IPC (4件)：
H01L 21/285
, C23C 16/34
, C23C 16/50
, H01L 21/285 301
H01L 21/285 C
, C23C 16/34
, C23C 16/50
, H01L 21/285 301 R
