マイクロ波プラズマ処理装置および処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-050079
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343329
出願日： 1992年03月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】ECR方式のマイクロ波プラズマ処理装置において、高速成膜と膜厚分布向上とを同時に達成可能な装置構成を提供する。【構成】装置の基本構成として、ウエーハ9の位置を、ガス放出口 (反応ガス導入口) 31から20〜130mmの範囲内に設定する,高速成膜を目指した装置とする。膜厚分布の向上は、上記基本構成のなかでECR磁界領域の形状の平坦化あるいはウエーハ9表面上の到達ガス量分布を均一にする反応ガス導入口31の形成等により行うようにする。ウエーハ9の処理は、膜厚分布均一化のための上記装置条件のもとで、ウエーハ9をマイクロ波透過窓2からマイクロ波の1波長以内の距離に位置させて成膜速度を上げる。

請求項（抜粋）：

軸線上にマイクロ波透過窓を有し、導入されたプラズマ生成ガスをプラズマ状態にする軸対称のプラズマ生成室と、プラズマ生成室と同軸に配置されプラズマ生成室内にマイクロ波との電子サイクロトロン共鳴が生じる磁界領域を形成するソレノイドコイルと、前記マイクロ波透過窓のプラズマ生成室内部空間側の面と対面する側にプラズマ照射される被処理物を配置するためのステージと、被処理物のマイクロ波透過窓側に反応ガスを供給するための反応ガス導入口とを有するマイクロ波プラズマ処理装置において、被処理物の被処理面の位置を反応ガス導入口からマイクロ波透過窓と反対側に20〜130mmの範囲に設定することを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-029379
特開昭63-060529
特開平3-024775

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