特許

J-GLOBAL ID：200903013406385485

酸化ルテニウム膜の形成方法および半導体装置の製造方法

発明者： 中林 正明
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-317465
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163131
出願日： 1996年11月28日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】酸化ルテニウム膜の形成方法に関し、500°C以上の温度で成膜が可能で、しかも500°C以上の高温に耐えられる膜を形成すること。【解決手段】ルテニウム有機金属化合物と酸化ガスを成膜領域1に導入し、酸素分圧を6Torr以下に設定して基板W上に酸化ルテニウム膜32を気相成長することを特徴とする酸化ルテニウム膜の形成方法を含む。

請求項（抜粋）：

ルテニウム有機金属化合物と酸化ガスを成膜領域に導入し、酸素分圧を6Torr以下に設定して基板上に酸化ルテニウム膜を気相成長することを特徴とする酸化ルテニウム膜の形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C01G 55/00 ,  C23C 16/40 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (6件)：

H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 C ,  C01G 55/00 ,  C23C 16/40 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 酸化ルテニウムの成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-068877   出願人：日本酸素株式会社, 岡田勝
• 半導体集積回路コンデンサおよびその電極構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-097071   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション