カーボンナノチューブの成長方法、カーボンナノチューブの構造体及び電界効果型トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：横山淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-259778
公開番号（公開出願番号）：特開2008-084892
出願日： 2006年09月25日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：

【課題】カーボンナノチューブをチャネル部とする電界効果型トランジスタの単位ゲート幅あたりの電流量を増加し高速動作を可能とするため、一組の突起パターンの頂部にある、触媒機能金属領域の間で、効果的の多数のカーボンナノチューブを架橋形成する。【解決手段】基板上に第1の絶縁層とその上にオーバーハング構造を有する第2の絶縁層とその上に触媒機能金属層とが積層された、所定の間隔をもって2列の突起パターンが形成され、その2列の突起パターンの触媒機能金属層のパターン領域間で、カーボンナノチューブの架橋成長を行う。オーバーハング部の存在により、一方の触媒機能金属層のパターン領域から成長を開始したカーボンナノチューブが、下層の絶縁層や基板との接触するのを大幅に防ぐことが可能となり、架橋を効果的に行うことができる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

基板表面上に、第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層よりもエッチングレートの低い第2の絶縁層と、触媒金属層とを順次積層する工程と、前記触媒金属層と前記第2の絶縁層と前記第1の絶縁層をエッチングして、少なくとも2列の突起パターンを形成する工程と、前記2列の突起パターン間に電界を印加してカーボンナノチューブを成長する工程とを含むことを特徴とするカーボンナノチューブの成長方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/06 , B82B 3/00 , B82B 1/00

FI (5件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/06 601N , B82B3/00 , B82B1/00

Fターム (23件)：

5F110AA01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD04 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110DD21 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE43 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG28 , 5F110GG44 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (1件)

レーザ装置,発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-109245 出願人：日本電信電話株式会社

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