特許

J-GLOBAL ID：200903013431855577

光半導体素子用サブマウント

発明者： 石井 光男
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-111466
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326210
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 特に低熱特性に必要なJ/D組立の際、ダイボンドした半田がチップサイドに露出したジャンクションに接触する事を防止する。【構成】 サブマウント基体10の両面にバリヤ層7a,7bを形成し、さらにバリヤ層7a上に部分的にAuSn共晶半田層8を形成し、バリヤ層7b上に全面にAuSn共晶半田層9を設ける。【効果】 チップサイドにはみ出す半田量を十分抑える事ができ、ジャンクションへの半田ショートによる初期不良の低減及び環境試験に於いて半田による影響を殆ど受けることのない信頼性の高いレーザ素子が得られる。

請求項（抜粋）：

光半導体素子のチップを放熱用金属ブロックに接着する際に上記チップと金属ブロックとの間に介在させて用いられる光半導体素子用サブマウントにおいて、サブマウント基体と、上記サブマウント基体の両側に形成されたバリヤ層と、上記一方のバリヤ層表面に形成され、上記チップのサイズよりも小さい面積を有する共晶半田層と、上記他方のバリヤ層の表面全面に形成された共晶半田層とからなることを特徴とする光半導体素子用サブマウント。

IPC (4件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/52 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 23/12 F ,  H01L 23/12 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-260671
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-189213   出願人：オムロン株式会社
• 特開平4-283948