特許
J-GLOBAL ID：200903013449822552
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-137144
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321045
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】Cu配線の抵抗が増大し、信頼性が低下する。【解決手段】Si基板1上に設けられた第1絶縁膜2A上にバリア膜3A,3BにはさまれたCu膜4からなる積層構造の配線を形成した後、低圧チャンバー内で加熱しながら希釈したシランガス6にさらし、配線のうちの銅が露出した部分のみにCuシリサイド層7を選択的に形成する。次でその上層に第2絶縁膜2Bを形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられた第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に順次設けられた第1導電膜と第2導電膜および前記銅膜の側面に設けられた銅珪素化合物層より構成される配線と、前記第1絶縁膜および前記配線の上に設けられた第2絶縁膜とを含む事を特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
H01L 21/88 M
, H01L 21/28 301 Z
