特許

J-GLOBAL ID：200903013479458723

光ポンピングされる垂直放出半導体レーザ

発明者： ヴォルフガング シュミット
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (5件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-533404
公開番号（公開出願番号）：特表2005-505143
出願日： 2002年09月26日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：

高反射性リフレクタ層(10)を有し、このリフレクタ層上に配置されたビーム放出活性層列(14)有し、動作中にリフレクタ層(10)が外部ミラー(20)と共にレーザ共振器を形成する、光ポンピングされる垂直放出半導体レーザにおいて、レーザ共振器(10、20)内部に及び活性層列(14)と熱的に接続して、放出されるビームに対して透過的なヒートシンク(12)が設けられており、このヒートシンク(12)は活性層列(14)の材料よりも高い熱伝導率を有する材料から形成されている。

請求項（抜粋）：

光ポンピングされる垂直放出半導体レーザであって、高反射性リフレクタ層(10)を有し、該リフレクタ層上に配置されたビーム放出活性層列(14)有し、動作中に前記リフレクタ層(10)が外部ミラー(20)と共にレーザ共振器を形成する、光ポンピングされる垂直放出半導体レーザにおいて、 レーザ共振器(10、20)内部に及び前記活性層列(14)と熱的に接続して、放出されるビームに対して透過的なヒートシンク(12)が設けられており、該ヒートシンク(12)は前記活性層列(14)の材料よりも高い熱伝導率を有する材料から形成されていることを特徴とする、光ポンピングされる垂直放出半導体レーザ。

IPC (4件)：

H01S5/183 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/026

FI (4件)：

H01S5/183 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/026 610

Fターム (9件)：

5F073AA62 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073AB12 ,  5F073AB17 ,  5F073AB21 ,  5F073EA24 ,  5F073EA29 ,  5F073FA15

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特表平6-505369
  
• ダイヤモンド層を含む多層膜構造、それを有する光デバイス、およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-051076   出願人：キヤノン株式会社
• 特表平6-505369
  
• 特表平6-505369