特許
J-GLOBAL ID：200903013501234958
化合物半導体発光素子とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 孝治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-154414
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335699
出願日： 1997年05月27日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 絶縁性基板の化合物半導体発光素子の上下に電極を設ける。【解決手段】 基板の浅溝部を境に複数の発光部が形成され、この発光部を浅溝部沿にダイサーを用いて分離することにより形成される化合物半導体発光素子15において、ダイサーを用いて基板に対して上下の溝(下の溝は220)を形成することによりその交点に透孔部を形成し、この透孔部を利用して、発光部であって下側の化合物半導体薄膜層101の側面からこれに連なる基板100の側面にかけて少なくとも薄膜電極配線170を形成し、同時にまたは相前後して上側の化合物半導体薄膜層の上面側に第1の電極150を形成し、基板100の下面側に第2の電極160を形成し、第2の電極160と薄膜電極配線170とが電気的に接続される。
請求項（抜粋）：
絶縁性または高抵抗性の基板の上面側に、下側の化合物半導体薄膜層と上側の化合物半導体薄膜層とを有する発光層が形成されてなる化合物半導体薄膜層付基板に対して、この化合物半導体薄膜層付基板の上側から、下側の化合物半導体薄膜層に達する上側浅溝部が設けられることによりこの上側浅溝部を境に複数の発光部が形成され、この発光部を前記上側浅溝部に沿ってダイサー等の所定の切断手段を用いて分離することにより形成される化合物半導体発光素子において、前記上側の化合物半導体薄膜層の上面側に形成された第1の電極と、前記基板の下面側に形成された第2の電極と、前記上側浅溝部に沿って前記化合物半導体薄膜層付基板の上側から更に深く前記基板内に達するまで形成された上側深溝部と、前記1個の発光部当たりにその下側に少なくとも1本は形成された溝であって、前記基板の下面側から前記基板内に前記上側深溝部と零度以外の所定の角度をもって形成され、且つ化合物半導体薄膜層付基板の厚みから前記上側深溝部の深さを減じた寸法よりも大きな深さを有した下側溝部と、前記上側深溝部の沿面、前記下側溝部と前記上側深溝部との交点に位置する透孔部の沿面、および前記下側溝部の沿面を経由して、前記下側の化合物半導体薄膜層から前記第2の電極に至る薄膜電極配線からなる薄膜電極配線部とを周囲に具備してなることを特徴とする化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 33/00 A
, H01L 33/00 E
, H01S 3/18
