半導体発光素子およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福島祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-064066
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330631
出願日： 1996年03月21日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】発光面積が大きく、かつランプの組み立て工程を導電性基板を有する発光ダイオードと共通化することができる絶縁性基板を用いた半導体発光素子を提供することである。【構成】サファイヤ基板1上に、バッファ層2、n-GaN層3、クラッド層4、発光層5、p-クラッド層6、およびキャップ層7が順に形成されている。キャップ層7の上面にp側電極10が設けられ、サファイヤ基板1、バッファ層2およびn-GaN層3の側面にn側電極11が設けられている。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に複数の層が積層されてなる半導体発光素子において、前記複数の層のうち最上層の上面に第1の電極を形成するとともに、前記複数の層のうち所定の層の側面から前記絶縁性基板の側面に渡って第2の電極を形成したことを特徴とする半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E

引用特許：

出願人引用 (5件)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-201306 出願人：豊田合成株式会社
特開平2-081484
特開昭56-087383

全件表示

審査官引用 (8件)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-201306 出願人：豊田合成株式会社
特開平2-081484
特開昭56-087383

全件表示

前のページに戻る