特許
J-GLOBAL ID:200903013542247983

光電変換素子、及びこれに用いる透明導電性基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 舘野 千惠子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-144618
公開番号(公開出願番号):特開2005-327595
出願日: 2004年05月14日
公開日(公表日): 2005年11月24日
要約:
【課題】抵抗損失、光電変換効率の低下を回避でき、腐食や、逆電子移動反応の問題も生じない、光電変換効率に優れ高耐久性の光電変換素子を提供する。【解決手段】透明基板2に導電性配線層3と金属酸化物層30とが設けられてなる透明導電性基板10上に、半導体微粒子層4が形成された半導体電極11と、対向電極12と、両電極間に挟持されてなる電解質層5とを有し、透明導電性基板10は、透明基板2の片面に溝3hが設けられてなり、この溝3hの内部に導電性配線層3が埋設された構成を有している光電変換素子1を提供する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
透明基板上に導電性配線層と金属酸化物層とが設けられてなる透明導電性基板上に、半導体微粒子層が形成された半導体電極と、 対向電極と、 前記半導体電極と前記対向電極との間に挟持されてなる電解質層とを具備する光電変換素子であって、 前記透明導電性基板は、前記透明基板の前記半導体微粒子層形成面側に、溝が設けられてなり、当該溝の内部に、前記導電性配線層が埋設されてなる構成を有していることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件):
H01M14/00 ,  H01L31/04
FI (2件):
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
Fターム (13件):
5F051AA14 ,  5F051FA06 ,  5F051FA14 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032AS19 ,  5H032BB05 ,  5H032BB06 ,  5H032CC13 ,  5H032EE02 ,  5H032HH04 ,  5H032HH08
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 色素増感型太陽電池
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2003-379056   出願人:日本特殊陶業株式会社

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