気相成長装置及び半導体素子の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-274343
公開番号（公開出願番号）：特開2009-105165
出願日： 2007年10月22日
公開日（公表日）： 2009年05月14日
要約：

【課題】シャワープレートを用いて少なくとも2種類の反応ガスを成長室内に供給する場合に、ガス吐出孔から成長室へ供給されるガスフローを均一化することができる気相成長装置及び半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】シャワープレート21上に、III族系ガスとV族系ガスとのそれぞれを充満させる互いに隔離されたIII族系ガスバッファエリア23bとV族系ガスバッファエリア24bとがこの順に積層される。III族系ガスバッファエリア23bには、V族系ガスバッファエリア24bからシャワープレート21の複数のV族系ガス吐出孔H5に連通する複数のV族系ガス供給管24cが貫通して設けられている。V族系ガスバッファエリア24bには、複数のダミー柱25cが、複数のIII族系ガス吐出孔H3と同じ平面位置に設けられている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1原料ガス及び第2原料ガスを、それぞれ独立に吐出する複数の第1原料ガス吐出孔及び複数の第2原料ガス吐出孔を配設したシャワープレートを介して被成膜基板を収容する成長室内に供給し、上記成長室内で混合して上記被成膜基板を成膜する気相成長装置において、シャワープレート上に、上記第2原料ガスと第1原料ガスとのそれぞれを充満させる互いに隔離された第2原料ガス中間室と第1原料ガス中間室とがこの順に積層され、上記第2原料ガス中間室には、上記第1原料ガス中間室から上記シャワープレートの複数の第1原料ガス吐出孔に連通する複数の第1原料ガス管が貫通して設けられていると共に、上記第1原料ガス中間室には、複数の柱が、上記複数の第2原料ガス吐出孔と同じ平面位置に設けられていることを特徴とする気相成長装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455 , H01L 33/00 , H01L 31/04 , H01S 5/323 , H01S 5/343

FI (6件)：

H01L21/205 , C23C16/455 , H01L33/00 C , H01L31/04 A , H01S5/323 610 , H01S5/343 610

Fターム (44件)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA05 , 4K030FA10 , 4K030KA25 , 4K030LA14 , 5F041AA03 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF04 , 5F045BB02 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DP03 , 5F045DP28 , 5F045DQ10 , 5F045EB02 , 5F045EE07 , 5F045EF05 , 5F045EF08 , 5F045EF09 , 5F045EK06 , 5F051AA08 , 5F051CB09 , 5F173AH22 , 5F173AP06 , 5F173AR23

引用特許：

出願人引用 (3件)

化学蒸着に関する改良
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-147781 出願人：トーマススワンアンドカンパニーリミテッド
熱CVD装置および熱CVD方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-332633 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
薄膜形成方法及び薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-188821 出願人：東京エレクトロン株式会社, 日本電気株式会社

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