特許

J-GLOBAL ID：200903013580210279

半導体装置の製造方法

発明者： 三谷 祐一郎 ,  水島 一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-237438
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082957
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、拡散層領域にのみアモルファスシリコンを選択的に堆積し、ファセットによる膜厚の減少を阻止して拡散層の厚みを実効的に増加させ、もって、トランジスタ特性の信頼性の向上を図る。【解決手段】 ゲート部、ソース領域及びドレイン領域を形成し、形成されたソース領域及びドレイン領域上に夫々アモルファスシリコンを選択的に堆積させる半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面上にMOS構造を有する半導体装置の製造方法において、ゲート部、ソース領域、ドレイン領域を形成する工程と、前記形成されたソース領域及びドレイン領域上に夫々アモルファスシリコンを選択的に堆積させる工程とを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28

FI (4件)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/28 301 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-163942
  
• トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-264058   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 特開昭62-131514