特許
J-GLOBAL ID：200903013589338251
半導体デバイスの製造方法および半導体製造システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小川 勝男
, 田中 恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-379559
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142467
出願日： 2003年11月10日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】 半導体製造工程には複数の工程があり、各工程には複数の装置が導入されている。装置の台数は1ラインで数百台に達する。各装置は製造処理情報として、数十から数百項目の製造処理条件あるいは製造処理状態あるいは製造処理結果を出力する。よって、全ての製造処理情報に対して、個別に異常監視を実施することは運用上困難であり、異常が検知された過去事例や予測に基づき事前に選抜した製造処理情報に対してのみ異常監視が行われることが多く、未経験異常に効率的に対応できない課題があった。 【解決手段】 全ての製造処理情報に対して個別に異常監視を実施するのではなく、1つの集約統合した製造処理情報を監視する統合異常監視と重点選別した製造処理情報を監視する個別異常監視を併用し、さらに統合異常が検知された際にはその統合異常検知情報を元の個別製造処理情報まで分解することにより個別重点監視すべき製造処理情報を抽出して以後は個別異常監視できるように登録学習するサイクルを繰り返す。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
プロセス処理する製造装置を複数備えた製造ラインで半導体デバイスを製造する方法であって、
所定の製造装置から順次プロセス処理される複数のウェハに渡って時系列で収集される複数の個別収集処理情報を複数のウェハに渡る時系列集約処理情報に統合し、該統合された時系列集約処理情報を基に統合異常が発生した異常発生時系列ポイントを検知し、該検知された統合異常発生時系列ポイントにおける前記収集された複数の個別収集処理情報毎の寄与度を抽出し、該抽出された個別収集処理情報毎の寄与度に応じて統合異常の原因となった個別収集処理情報を特定する統合異常監視ステップと、
後続のプロセス処理において前記統合異常監視ステップで特定された個別収集処理情報を収集し、該収集された個別収集処理情報を継続して重点監視する個別異常監視ステップとを有し、
前記統合異常監視ステップと前記個別異常監視ステップとをウェハ毎もしくはロット毎もしくはバッチ毎の所定の周期で繰り返すことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/02 Z
, H01L21/66 Z
4M106AA01
, 4M106BA01
, 4M106DJ40
