電界効果型トランジスタ用ウエハ及びトランジスタ

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：寺田實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-103222
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314704
出願日： 1993年04月28日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】 Gax In1-x As/InPヘテロ接合を具備してなるFETに於て、雑音特性の向上を図る。【構成】 InP及びGax In1-x Asからなるヘテロ接合界面近傍のバッファ層とするInP層に歪を内在させる。【効果】格段の高移動度化が果たされ、もって従来に無い相互コンダクタンスを有するGaInAsFETが顕現される。

請求項（抜粋）：

高抵抗のリン化インジウム(InP)結晶基板上にInP層及びヒ化ガリウム・インジウム(Gax In1-x As :x は混晶比を表す)層から構成されるヘテロ接合を具備してなる電界効果型トランジスタ用エピタキシャルウエハに於いて、該InP層内の当該ヘテロ界面から50nm以内にInPの歪層を設けたことを特徴とする電界効果型トランジスタ用ウエハ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-223773
特開昭62-283675
特開平4-116835

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