多層基板およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-314762
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169873
出願日： 1993年12月15日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】半導体を基板に実装する際に半田がボンディングパッド以外のパターンに流れ込むのを防止する。【構成】半導体の電極上に設けられたバンプ電極が電気的に接続するボンディングパッドを有する層の基板より上位の各層の基板に、ボンディングパッドとの位置の整合をとってホールを設ける。各層の基板を積層し、焼成により多層基板を製造する。半導体のバンプ電極を多層基板上に設けられたホールに挿入し、基板の下面より熱を加えることによりフリップチップ実装する。各層基板のホール以外の部分が壁となり、溶融した半田がボンディングパッド以外のパターンに流れ込まない。

請求項（抜粋）：

半導体の電極と接続されるボンディングパッドを有する第1の基板と、この第1の基板上に配置され、前記ボンディングパッドの対応する位置にホールを有する第2の基板との少なくとも2枚の基板を有することを特徴とする多層基板。

IPC (5件)：

H01L 23/12 , H01L 21/60 311 , H05K 1/18 , H05K 3/34 507 , H05K 3/46

引用特許：

審査官引用 (1件)

チツプ部品取付構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-308882 出願人：株式会社富士通ゼネラル

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