特許
J-GLOBAL ID:200903013636980153
SiF4ガスの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-319339
公開番号(公開出願番号):特開2000-143227
出願日: 1998年11月10日
公開日(公表日): 2000年05月23日
要約:
【要約】【課題】 高純度SiF4ガスを安価に製造する。【解決手段】 珪フッ化物又は珪フッ化物を合成し得る2種以上の化合物を硫酸にて分解し、SiF4ガスを発生させる方法に於いて、硫酸中に溶存する炭酸ガスをあらかじめ除去する。
請求項(抜粋):
珪フッ化物又は珪フッ化物を合成し得る2種以上の化合物を硫酸にて分解し、SiF4ガスを発生させる方法に於いて、硫酸中に溶存する炭酸ガスをあらかじめ除去することを特徴とするSiF4ガスの製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
C01B 33/107 A
, H01L 31/04 V
Fターム (14件):
4G072AA09
, 4G072GG03
, 4G072HH03
, 4G072HH05
, 4G072JJ15
, 4G072LL02
, 4G072LL06
, 4G072LL07
, 4G072MM01
, 4G072RR06
, 4G072TT19
, 4G072UU21
, 4G072UU30
, 5F051CA07
引用特許: