特許

J-GLOBAL ID：200903013646676673

半導体装置及びその製造方法

発明者： 宮沢 誠一
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-204700
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045813
出願日： 1993年07月27日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】量子細線を持ったレーザ、電流狭窄効果を有するレーザなどの半導体装置を再現性良く、歩止まり良く提供することである。【構成】半導体装置は、所定の指数の面方位を持つ半導体基板2と、半導体基板2上に形成された半導体膜9、10と、基板2上に形成された、半導体膜が成長し易い面13と半導体膜が成長しにくい面12を持つ凹凸構造11を有する。半導体膜9、10は、凹凸構造11の半導体膜が成長し易い面13に主として形成されて量子細線構造を成す。また、基板2上に、半導体膜が形成される時に一方の導電型の領域とする面と他方の導電型の領域とする面を有する凹凸構造7を有する場合もある。この場合、凹凸構造7上に形成される半導体膜8は、凹凸構造7の面方位によって導電型の異なる領域より形成されて電流狭窄層を構成する。

請求項（抜粋）：

閃亜鉛鉱型結晶構造を有した半導体基板で、{111}面から0〜15度の範囲で傾いた面方位を少なくとも部分的に持つ半導体基板と、該基板面の少なくとも一部に形成された{111}面とその他の指数を持つ1つ以上の面から構成される鋸歯状の周期構造と、その周期構造の上に面方位によって成長速度の異なる結晶成長法を用いて該半導体基板の法線とは一致しない方向へ成長面を進行させて形成された量子細線構造とを有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/06 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 量子細線およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-025734   出願人：古河電気工業株式会社
• 特開平2-162717