特許

J-GLOBAL ID：200903013647358357

半導体装置

発明者： 松永 範昭 ,  中村 直文 ,  伊藤 祥代 ,  蓮沼 正彦 ,  西岡 岳
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-195731
公開番号（公開出願番号）：特開2005-229086
出願日： 2004年07月01日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：

【課題】 層間絶縁膜での亀裂の発生、膜の剥離、膜への水分およびガスの浸入を防止可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置は、半導体基板1上に配設された第1絶縁層211を有する。第1絶縁層は、3未満の比誘電率材料からなる層を1層含み、その上面および下面が第1絶縁層内のプラグ213と配線212の一体構造の配線の上面およびプラグの下面と同じ高さにそれぞれ位置する。領域保護部材56は、第1絶縁層の上面から下面に達するプラグと配線の一体構造からなり、平面において境界領域55により相互に区画された第1乃至第n領域(nは2以上の自然数)のいずれか1つの周囲を囲む。【選択図】 図34

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板上に配設され、且つ3未満の比誘電率材料からなる層を1層含む第1絶縁層であって、且つ上面および下面が前記第1絶縁層内のプラグと配線の一体構造の前記配線の上面および前記プラグの下面と同じ高さにそれぞれ位置する第1絶縁層と、 前記第1絶縁層の前記上面から前記下面に達するプラグと配線の一体構造からなり、且つ平面において境界領域により相互に区画された第1乃至第n領域(nは2以上の自然数)のいずれか1つの周囲を囲む領域保護部材と、 を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

FI (2件)：

H01L21/88 S ,  H01L27/04 D

Fターム (44件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK14 ,  5F033KK19 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033TT01 ,  5F033VV00 ,  5F033VV01 ,  5F033XX17 ,  5F038BH09 ,  5F038BH11 ,  5F038CA03 ,  5F038CA13 ,  5F038CD01 ,  5F038CD10 ,  5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第5,994,762号明細書
  
• 米国特許第6,313,037号明細書
  

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-319241   出願人：三菱電機株式会社