特許

J-GLOBAL ID：200903013652049095

太陽電池

発明者： 西谷 幹彦 ,  寺内 正治 ,  池田 光佑 ,  和田 隆博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-209714
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055526
出願日： 1995年08月17日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】電極/光吸収層/接合形成用窓層/中間層/ホールブロッキング層/透明電極の構造とすることにより、エネルギー変換効率が高い薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】ガラス基板1の表面にMo電極2を形成し、その上にp型のCuInSe2 薄膜3をCu,In,Seの三源蒸着法で2〜3μm程度の膜厚で形成し、次に接合の形成のための半導体層4として、CdS薄膜を溶液析出法によって、50nmの厚さに形成し、そのあとスパッタリングによって中間半導体5として高抵抗のZnO薄膜を、厚さ0.3μmに形成し、さらにホールブロッキング層6として、SnO2 をスパッタリングによって厚さ50nmに形成し、次に透明導電膜7としてAlをドープした低抵抗ZnO薄膜またはITO薄膜をスパッタリングで形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、下部電極と、伝導型P型からなる第1の半導体薄膜と、その半導体薄膜と接合を形成するための伝導型N型からなる第2の半導体薄膜と、前記第2の半導体薄膜より大きなバンドギャップを持ちかつ電子親和力が同程度の伝導型N型からなる第3の半導体薄膜と、前記第3の半導体薄膜の電子親和力と同程度またはそれ以上であってかつ価電子帯のトップのエネルギーレベルが前記半導体薄膜3のそれに比べて低いレベルの伝導型N型からなる第4の半導体薄膜と透明電極をこの順序に積層してなる太陽電池。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/363

FI (3件)：

H01L 31/04 E ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/363

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 太陽電池及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-017220   出願人：松下電器産業株式会社