特許

J-GLOBAL ID：200903013674707240

SOIウエハ及びその製造方法

発明者： 稲葉 英作 ,  宮川 雅文 ,  北條 顯道 ,  高橋 捷一
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 赤野 牧子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-195952
公開番号（公開出願番号）：特開平9-022993
出願日： 1995年07月06日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【目的】 表面活性層が均一且つ平坦であり、微小欠陥(BMDという)も少ない優れた特性を有するSOIウエハ及びその製造方法を提供し、その工業的実用化を図る。【構成】 表面活性層、酸化膜層、接着面及び基板ウエハにより構成され酸化膜絶縁体層上に表面活性層を有するSOIウエハにおいて、一のシリコンウエハ基板の少なくとも片面を鏡面状に研磨して鏡面表層部となして、水素及び/または不活性ガス雰囲気中で1100°C以上に加熱してガスアニール処理した後、酸化処理して形成された該鏡面表層部上の酸化膜に、他のシリコンウエハの鏡面研磨表層部とを重ね加熱して貼合わせ処理し、その後、該一のシリコンウエハ基板の非研磨表層部側を研削することを特徴とするSOIウエハの製造方法。得られるSOIウエハが、表面活性層と酸化膜絶縁体層との間に接着面を有することなく、且つ、表面活性層に微小欠陥が実質的に存在しないものである。

請求項（抜粋）：

酸化膜絶縁体層上に表面活性層を有する貼合わせSOIウエハであって、該表面活性層と該酸化膜絶縁体層との間に接着面を有することなく、且つ、該表面活性層に微小欠陥が実質的に存在しないことを特徴とするSOIウエハ。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 321

FI (3件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 321 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-181115
  
• SOI基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-284009   出願人：長野電子工業株式会社, 直江津電子工業株式会社, 信越半導体株式会社
• 特開平2-194650