特許

J-GLOBAL ID：200903013685589605

薄膜トランジスタ

発明者： 神野 優志 ,  平井 恭子
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-327473
公開番号（公開出願番号）：特開平9-166788
出願日： 1995年12月15日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：

【要約】【課題】 LDD構造のダブルゲートpoly-SiTFTにおいて、マスクずれによる低濃度領域の消失に起因するリーク電流を抑え、電圧保持率を上昇し、コントラスト比を向上する。【解決手段】 LDD構造のダブルゲートTFTであって、2つのチャンネル領域11Na,11Nbの電流方向を逆にしている。レジストが左右方向にずれ動いた場合、LD領域11Lc,11LfあるいはLD領域11Ld,11Leのいずれかが有効となるので、少なくともどちらか一方のチャンネル領域でリーク電流が抑えられる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に島状に形成された多結晶半導体層と、絶縁層を挟んで前記多結晶半導体層に重畳配置された第1及び第2のゲート電極と、前記多結晶半導体層中の前記第1のゲート電極との重畳領域及び前記第2のゲート電極との重畳領域に各々形成された第1のチャンネル領域及び第2のチャンネル領域と、前記第1のチャンネル領域と第2のチャンネル領域の間の前記多結晶半導体層中に不純物が高濃度にドーピングされた高濃度領域からなる共通領域と、前記第1のチャンネル領域を挟んで前記共通領域に対向する前記多結晶半導体層中に前記不純物が高濃度にドーピングされた高濃度領域からなるドレイン領域と、前記第2のチャンネル領域を挟んで前記共通領域に対向する前記多結晶半導体層中に前記不純物が高濃度にドーピングされた高濃度領域からなるソース領域と、前記第1のチャンネル領域と前記ドレイン領域の間、前記第1のチャンネル領域と前記共通領域の間、前記第2のチャンネル領域と前記共通領域の間、及び、前記第2のチャンネル領域と前記ソース領域の間に前記不純物が低濃度にドーピングされた低濃度領域が介在されてなる薄膜トランジスタにおいて、前記第1のチャンネル領域の電流方向と前記第2のチャンネル領域の電流方向が異なっていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/78 618 F ,  H01L 29/78 618 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-025930   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-261555   出願人：ソニー株式会社