特許
J-GLOBAL ID：200903013693230837

サセプタ、半導体製造装置及び半導体製造方法

発明者：
伊藤 英樹

伊藤 英樹 について


出願人/特許権者：
株式会社ニューフレアテクノロジー

株式会社ニューフレアテクノロジー について


代理人 (2件)： 松山 允之 ,  池上 徹真
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-120159
公開番号（公開出願番号）：特開2009-270143
出願日： 2008年05月02日
公開日（公表日）： 2009年11月19日
要約：
【目的】本発明は、成膜時の温度制御が可能となり、ウェーハ上に成膜された膜厚のバラツキを極めて少なくし、生産性を高めた半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。【構成】本発明のサセプタ11は、ウェーハwの径より小さく、表面に凸部12b(温度制御板となる)を有するインナーサセプタ12と、中心部に開口部13aを有し、インナーサセプタ12を開口部13aが遮蔽されるように載置するための第1の段部13bと、この第1の段部の上段に設けられ、ウェーハを載置するための第2の段部13dを有するアウターサセプタ13を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ウェーハが載置するための第1の段部が設けられ、前記第1の段部の底面に凸部が設けられているサセプタであって、前記凸部の頂面がウェーハを載置した状態で、前記凸部の頂面と前記ウェーハの裏面との間に、間隙を有するように構成されていることを特徴とするサセプタ。
IPC (4件)：
C23C 16/458 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/683
FI (4件)：
C23C16/458 ,  H01L21/31 B ,  H01L21/205 ,  H01L21/68 N
Fターム (54件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030GA06 ,  4K030JA10 ,  4K030KA02 ,  4K030KA23 ,  4K030LA15 ,  5F031CA02 ,  5F031HA06 ,  5F031HA08 ,  5F031HA33 ,  5F031HA37 ,  5F031MA28 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC19 ,  5F045AD15 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB06 ,  5F045CA01 ,  5F045CA05 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EK07 ,  5F045EK22 ,  5F045EM02 ,  5F045EM06 ,  5F045EM09 ,  5F045EM10
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 熱転写記録装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-216187   出願人：松下電器産業株式会社
審査官引用 (1件)

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