特許

J-GLOBAL ID：200903066086582461

基板加熱方法及び装置

発明者： 村上 武司 ,  福永 由紀夫
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (1件)： 渡邉 勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-340405
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164588
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 基板を載置支持する基板支持部材に面内温度分布があっても、基板の面内温度分布がより均一となるように加熱できる基板加熱方法及び装置を提供する。【解決手段】 基板を支持し、かつ加熱手段により直接的または間接的に基板を加熱する基板の加熱方法において、基板を支持する基板支持部材12と、基板Wとの間に隙間15a,15b,15c,15d,15eを設け、該支持部材の表面温度が高い領域は隙間15a,15b,15c,15d,15eを大きくし、該支持部材の表面温度が低い領域は隙間15a,15b,15c,15d,15eを小さくして、基板Wを加熱する。

請求項（抜粋）：

基板を支持し、かつ加熱手段により直接的または間接的に基板を加熱する基板の加熱方法において、基板を支持する基板支持部材と、前記基板との間に隙間を設け、該支持部材の表面温度が高い領域は前記隙間を大きくし、該支持部材の表面温度が低い領域は前記隙間を小さくして、前記基板を加熱することを特徴とする基板加熱方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/46

FI (2件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/46

Fターム (19件)：

4K030AA14 ,  4K030BA42 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA03 ,  4K030KA23 ,  4K030KA46 ,  4K030LA01 ,  5F045AB40 ,  5F045AC11 ,  5F045AD11 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045EM02 ,  5F045EM08 ,  5F045EM09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-138726
  
• 薄膜堆積装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-166358   出願人：富士フイルムマイクロデバイス株式会社, 富士写真フイルム株式会社
• 気相成長装置およびこれによって製造された化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-186090   出願人：三菱電機株式会社