薄膜温度センサ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：瀧野秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-076084
公開番号（公開出願番号）：特開平8-271332
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】強固な架橋構造を有するとともに、電気的特性が安定した薄膜温度センサ及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】空洞部13が形成された基板1に架橋状に電極層6が形成され、その電極部6A,6Bに感熱抵抗膜7,8が接着され、感熱抵抗膜7,8を覆うように保護絶縁膜9、緩衝膜10及びガラス層11が形成されており、保護絶縁膜9とガラス層11が基板1上に延在することよって、感熱部Aの機械的強度を高めるとともに、感熱抵抗膜7,8を絶縁膜5,9が挟んだ形状及び緩衝膜10によって、熱処理工程によって感熱抵抗膜7,8の成分の変化により電気的特性が変動するのを解消するとともに、ガラス層11を硼珪酸ガラス系のガラス層として赤外線吸収特性を改善している。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された一対の電極層に接する少なくとも一層の感熱抵抗膜が絶縁膜と保護絶縁膜とで挟まれ、前記感熱抵抗膜の直上の前記保護絶縁膜表面に緩衝膜が形成され、且つ、前記緩衝膜を覆うガラス層が形成されていることを特徴とする薄膜温度センサ。

IPC (4件)：

G01J 1/02 , G01J 5/02 , G01K 7/22 , H01L 37/00

FI (4件)：

G01J 1/02 C , G01J 5/02 , G01K 7/22 A , H01L 37/00

引用特許：

審査官引用 (16件)

特開昭56-120102
赤外線検出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-286385 出願人：松下電工株式会社
CMOS装置におけるコンタクトの構成体及び製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-165636 出願人：エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・インコーポレイテッド

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