特許

J-GLOBAL ID：200903013710398690

高耐圧半導体装置

発明者： 安原 紀夫 ,  山口 好広
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-065148
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154812
出願日： 1997年03月18日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】【課題】IGBTとダイオードを逆並列に接続する際に、高耐圧を維持して面積縮小を図る。【解決手段】横型IGBTの素子終端の半円状の部分にダイオードを形成し、かつIGBTとダイオードをトレンチ分離領域151 で分離して、IGBTのゲート領域(ドレイン側)とダイオードのカソード領域、IGBTのカソード領域(ソース側)とダイオードのアノード領域が対向するようにする。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に形成された絶縁層と、この絶縁層上に形成された半導体層と、この半導体層に形成されたスイッチング素子と、前記半導体層に形成され前記スイッチング素子に逆並列されたダイオードと、このダイオードおよび前記スイッチング素子を分離する分離領域とを備えた高耐圧半導体装置であって、前記スイッチング素子のセル領域の長手方向の延長線上に前記ダイオードのセル領域が配置され、かつ前記スイッチング素子のアノード電極と前記ダイオードのカソード電極とが共通の電極、前記スイッチング素子のカソード電極と前記ダイオードのアノード電極とが共通の電極であることを特徴とする高耐圧半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/76

FI (4件)：

H01L 29/78 655 F ,  H01L 21/76 L ,  H01L 29/78 656 E ,  H01L 29/78 657 D

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-011751
  
• 少なくとも1個のIGBTを有する集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-067233   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 特開昭60-154552
  
• 特開平4-011751
  
• 特開昭60-154552