特許
J-GLOBAL ID：200903013746747233
半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山崎 宏
, 前田 厚司
, 仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-432732
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191380
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】メッキ電極の密着性を高めることができる半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】エッチング停止層5上にはリッジ部11を形成する。リッジ部11の側面は誘電体膜21で覆い、リッジ部11の上面はp側電極31で覆う。誘電体膜21及びp側電極31上には、MoとAuとから成るメッキ用下地電極32を形成する。そのMoとAuは、基板1の主面に対して斜め方向から誘電体膜21及びp側電極31上に付着させる。メッキ用下地電極32にはメッキ電極33を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された化合物半導体層と、
この化合物半導体層上に形成されたストライプ状のリッジ部と、
上記リッジ部の両側に形成され、上記リッジ部を埋め込むリッジ埋め込み層と、
上記リッジ部上に形成されたリッジ上電極と、
上記半導体基板の主面に対して斜め方向から上記リッジ埋め込み層及び上記リッジ上電極上に付着させた電極金属から成るメッキ用下地電極と、
このメッキ用下地電極上に形成されたメッキ電極と
を備えることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
5F073AA04
, 5F073AA53
, 5F073AA74
, 5F073CA06
, 5F073CA14
, 5F073CB02
, 5F073CB22
, 5F073EA28
