特許

J-GLOBAL ID：200903013760491187

パターン形成方法および装置並びにそれを用いて製造した電子デバイス

発明者： 鈴木 克己 ,  宮川 拓也 ,  奥山 喜久夫
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 村上 友一 ,  大久保 操
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-409870
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175033
出願日： 2003年12月09日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】 パターンの形成工程の簡素化を図り、パターンを容易に形成できるようにする。【解決手段】 基板12は、パターン形成領域がマイナスに帯電させてあり、成膜チャンバ14内の電極板18に装着され、非パターン形成領域が可変直流電源38によってプラスに帯電させてある。噴霧手段16は、液体供給手段20から供給された液体成膜材料22の微小液滴24を基板12に向けて噴射する。液体成膜材料22は、溶媒28に金属などの溶質の微粒子30が分散させてある。微小液滴24は、可変直流電源26によってプラスに帯電し、飛翔中に溶媒28が蒸発して溶質微粒子となって基板12のパターン形成領域に付着し、パターンを形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

絶縁体または半導体からなる基板のパターン形成領域を帯電させ、 噴射して形成した液体成膜材料の微小液滴を前記基板に向けて飛翔させるとともに、 前記微小液滴中の溶媒を前記飛翔中に蒸発させて溶質を前記パターン形成領域に付着させる、 ことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L21/027 ,  G03F7/20

FI (2件)：

H01L21/30 502D ,  G03F7/20 521

Fターム (3件)：

5F046AA28 ,  5F046CB01 ,  5F046DA30

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ドライエツチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-301823   出願人：シヤープ株式会社